JP2017527838A | 首都客運時刻表查詢網
![JP2017527838A](https://i.imgur.com/2oxSoeJ.png)
前記表4に示されているように、実施例1のストリッパー組成物は、経時的に苛酷条件で長時間保管しても、アミン含有量の低下程度が大きくないことが確認された。
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本発明は、フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法に関する。より詳細には、生殖毒性を示す溶媒を含まず、かつ、優れた剥離力およびリンス力を示すことができ、経時的物性の低下を最小化することができるフォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法に関する。
液晶表示素子の微細回路工程または半導体直接回路製造工程は、基板上に、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、モリブデン、モリブデン合金などの導電性金属膜、またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アクリル絶縁膜などの絶縁膜といった各種下部膜を形成し、この下部膜上にフォトレジストを均一に塗布し、選択的に露光、現像処理してフォトレジストパターンを形成した後、これをマスクとして下部膜をパターニングする様々な工程を含む。このようなパターニング工程後、下部膜上に残留するフォトレジストを除去する工程を経るが、そのために使用されるのがフォトレジスト除去用ストリッパー組成物である。
以前からアミン化合物、極性プロトン性溶媒および極性非プロトン性溶媒などを含むストリッパー組成物が広く知られており、なかでも特に、極性非プロトン性溶媒としてN−メチルホルムアミド(N−methyl form amide;NMF)を含むストリッパー組成物が幅広く使用されてきた。このようなNMFを含むストリッパー組成物は優れた剥離力を示すことが知られている。
しかし、このようなNMFは、生殖毒性を示すCategory1B(GHS基準)の物質であって、次第にその使用が規制されている。これによって、前記NMFを使用しなくても優れた剥離力およびリンス力を示すストリッパー組成物を開発しようとする試みが多様に行われているが、まだ十分な剥離力およびリンス力を示すストリッパー組成物はきちんと開発されていないのが現状である。
しかも、前記NMFを含む以前のストリッパー組成物は、時間に応じてアミン化合物の分解が促進されて経時的に剥離力およびリンス力などが低下する問題があった。特に、このような問題は、ストリッパー組成物の使用回収により、残留...