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如表4中所示,可確定即使實例1之剝離劑組成物在苛刻條件下長時間儲存,其胺含量...JP6121570B2(ja),2017-04-26,フォトレジスト除去用ストリッパ組成物およびこれ ...
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【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張2014年8月20日提申的韓國專利申請案第10-2014-0108634號之優先權,其揭示內容以全文引用的方式併入本文中。
本發明是關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法。
更特定言之,本發明是關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其即使不包含展示生殖毒性之溶劑,亦能夠對光阻展現極佳剝離及沖洗能力且能夠使其物理特性隨時間推移之降低達最小;且關於使用其的光阻剝離方法。
液晶顯示裝置之微電路或半導體積體電路之製造方法包括以下若干步驟:在基板上形成多種下層膜,諸如由鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬或鉬合金製成之導電金屬膜,或絕緣膜,諸如氧化矽膜、氮化矽膜或丙烯醯基絕緣膜;在此類下層膜上均勻塗佈光阻;視情況使經塗佈之光阻曝光及顯影以形成光阻圖案;及用光阻圖案作為遮罩將下層膜圖案化。
在這些圖案化步驟之後,執行移除下層膜上殘留光阻之方法。出於此目的,使用用於移除光阻之剝離劑組成物。
此前,已熟知包含胺化合物、極性質子性溶劑及極性非質子性溶劑及類似物之剝離劑組成物。其中,廣泛使用包含N-甲基甲醯胺(NMF)作為極性非質子性溶劑之剝離劑組成物。
這些包含NMF之剝離劑組成物已知展現極佳光阻剝離能力。然而,此類NMF為1B(GHS標準)類材料,其展示生殖毒性且其使用逐漸受限。
由於此原因,已進行各種嘗試來開發在不使用NMF下展示極佳剝離及沖洗能力的剝離劑組成物,但迄今為止此類展示足夠剝離及沖洗能力之剝離劑組成物尚未適當開發出。
此外,包含NMF之習知剝離劑組成物促使胺化合物隨時間推移分解,因此存在之問題為剝離及沖洗能力隨時間推移降低。
詳言之,視剝離劑組成物之塗覆時間而定,在殘留光阻之一部分溶解於剝離劑組成物中時可進一步促成這些問題。
鑒於這些情況,為隨時間推移維持極佳剝離及沖洗能力,先前技術...