JP2008177441A | 首都客運時刻表查詢網
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その後、表1に記載の剥離液で15分間浸漬後、水洗、乾燥し電子...JP6121570B2(ja),2017-04-26,フォトレジスト除去用ストリッパ組成物およびこれを用いたフォト ...
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本発明は、レジストの剥離方法に関する。特に、低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、ドライエッチング後の剥離し難いレジストを剥離する方法に関するものである。
半導体集積回路や液晶表示装置等の半導体素子の配線工程では、通常、基板上にプラズマCVD等の技術を用いて層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、所定のパターンを形成する。次いで、この基板上全面に紫外線等の活性光を照射してレジストパターンを硬化させる。そして、このレジストパターン(以下、レジストと称する。)をマスクとして非マスク領域をドライエッチングすることにより、配線回路を形成する。
近年の半導体素子の超微細化に伴い、多層配線間でコンデンサ容量(寄生容量)を形成してしまい、これによる配線遅延が問題になってきている。寄生容量を低減させるために層間絶縁膜を低誘電率絶縁膜(Low−k絶縁膜)にする必要性が高まってきている。有望な低誘電率絶縁膜としては、SiOF(酸化シリコンにフッ素を添加したもの)、SiOC(酸化シリコンに炭素を添加したもの)、有機ポリマー系の材料等が知られている。
半導体素子の配線工程の際には、ドライエッチングガスとして塩素系ガスやフッ素系ガスが一般的に使用されるが、エッチングの際、レジストとドライエッチングガスとの反応性生物であるレジスト残渣物が生成する。基板上にこのレジスト残渣物が残存すると、断線や配線以上の原因となり、種々の問題を引き起こすため、完全な除去が望まれている。
上記ドライエッチング後のレジストを剥離するため、従来、フェノール類、スルホン酸類、ハロゲン化炭素類、アルカノールアミン類、フッ素化合物類及びエーテル溶媒を主成分とする剥離液(例えば、特許文献1等参照)等、種々のレジスト剥離液が使用されてきた。
しかしながら、近年の半導体素子の超微細化に伴い、特にドライエッチングの場合には、高密度プラズマ等のエッチング条件が厳しくなってきているため、ドライエッチング後のレジストがドライエッチングに使用されるハロゲンガスを多量に含有したものになってきてい...