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如表1所示,對於各原材料而言,其抗蝕劑剝離性能隨抗蝕劑膜的改性程度而有所差異。...JP6121570B2(ja)*,2013-03-07,2017-04-26,エルジー・ケム・リミテッド ...
抗蝕劑剝離劑組成物本發明涉及一種用於去除照相平版印刷(photo-lithography)所用之抗蝕劑(resist)的剝離劑組成物,尤其涉及一種在去除用於圖形化金屬佈線的抗蝕劑時,能夠降低對金屬佈線的腐蝕,且能達到優秀的剝離效果的抗蝕劑剝離劑組成物。
通常,抗蝕劑(光阻劑(photo-resist))是在照相平版印刷工藝中必不可少的物質,而照相平版印刷工藝一般應用在積體電路(integrated circuit,IC)、大型積體電路(large scale integration,LSI)、超大型積體電路(very large scale integration,VLSI)等半導體裝置和液晶顯示器、平板顯示器等圖像顯示裝置的製造上。
然而,進行照相平版印刷工藝(photo-lithography processing)之後,抗蝕劑在高溫下被剝離溶液去除,但是在此過程中卻存在有下部金屬膜可能會過快地被剝離溶液腐蝕的問題。
亦即,由於所述抗蝕劑剝離溶液,存在有金屬佈線的腐蝕程度加快的問題。為了解決上述問題,美國專利第5,417,877號、美國專利第5,556,482號以及日本專利JP1999-375267(公開第2001-188363號)中揭露了用於防止金屬佈線腐蝕的抗蝕劑剝離溶液的製備方法。
所述方法是在醯胺化合物(amide)和有機胺(organic amine)的混合物中添加防蝕劑,將所述混合物作為抗蝕劑剝離溶液來防止金屬佈線中金屬的腐蝕,此方法指出了有機胺優選使用單乙醇胺(monoethanolamine)。另外也指出了防蝕劑的適當用量,並且,如果防蝕劑超過適當用量時,所述光阻劑的剝離效果將會降低。
另外,一般抗蝕劑剝離溶液中的胺化合物主要是使用單乙醇胺(monoethanolamine)、甲基乙醇胺(methylethanolamine)等一級胺或二級胺。
然而,所述一級胺或二級胺具有沸點低而使其成分容易發生變化的缺點,而且經過一段時間後,其重量及成分皆會因揮發而發生變化,因此具有在工藝過程中需要更...